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新的 X 射线世界纪录:以 4 纳米的精度观察微芯片内部

导读 在与洛桑联邦理工学院、苏黎世联邦理工学院和南加州大学保罗谢尔研究所 (PSI) 的合作下,研究人员利用 X 射线以前所未有的精度查看了微...

在与洛桑联邦理工学院、苏黎世联邦理工学院和南加州大学保罗谢尔研究所 (PSI) 的合作下,研究人员利用 X 射线以前所未有的精度查看了微芯片内部。4 纳米的图像分辨率创下了新的世界纪录。他们制作的这种高分辨率三维图像将推动信息技术和生命科学的发展。

研究人员在最新一期的《自然》杂志上报告了他们的研究成果。

自 2010 年以来,PSI 大分子和生物成像实验室的科学家一直在开发显微镜方法,目的是生成纳米范围内的三维图像。在他们目前的研究中,他们与 EPFL 和 ETHZ、瑞士洛桑和苏黎世联邦理工学院以及南加州大学合作,首次成功拍摄了分辨率为 4 纳米的最先进的计算机芯片微芯片的照片,创下了世界纪录。

科学家们没有使用镜头(因为目前无法用镜头拍摄这种范围的图像),而是采用了一种称为叠层成像的技术,即计算机将许多单独的图像组合起来,以创建一张高分辨率的图片。更短的曝光时间和优化的算法是显著提高他们在 2017 年创下的世界纪录的关键。在实验中,研究人员使用了 PSI 的瑞士光源 SLS 发出的 X 射线。

传统 X 射线断层扫描和电子显微镜之间

微芯片是技术的奇迹。如今,先进的集成电路中每平方毫米可以容纳超过 1 亿个晶体管,这一趋势还在不断增长。高度自动化的光学系统用于在洁净室中将纳米级电路迹线蚀刻到硅片上。

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